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PTC Process Matrix

The PTC Process Matrix allows you, at a glance, to determine what machine your wafers can go into depending on its attributes.

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ICL

CORAL Name description ALD * pyrex* III-V * Ge on surf Ge buried wf pieces* Au* CMOS metal-ever* CMOS metal on surf CMOS metal buried sts* sem Concept1* PR PI fully cured SU8* KOH^ CMP ^ box,>4hr ICL RCAcl'n TRL RCAcl'n pir cl'n virgin
ALD atomic layer dep: Al,Hf,Ti ox, TiN o+ x o o o o o o o o x o o x x x o o x o- o- o- o-
ALD-Oxford plasma-ALD: Al,Hf,Ti ox;W,Ti nitr o+ x o o o o x o o o x o o x x x o o x o- o- o- o-
AME5000 Si/nitride dry etcher x x x o o x x o x o o $ o o o x o o o- o- o- o- o-
asherICL plasma PR stripper o x x o o x x o o o o o o o- o- x o o o- o- o- o- o-
CMP^ CMP for oxide,nitride, Si x x o o o x x o x x o o o x x x o o+ o- o- o- o- o-
concept1 dielectric plasma dep o x x o o o# x o o o o $ o+ x x x o o o o- o- o- o-
DCVD dielectric plasma dep x x x o o x x o x o o $ o x x x o o x o- o- ! o-
e-beamCMOS CMOS metal evaporator o x x o o x x o+ o+ o o o o o x x o o o o- o- o- o-
endura metal sputtering system o x x o o x x o+ o+ o o $ o x x x o o o o- o- o- o-
GnP^ CMP for dielectrics & metals o o o o o o~ o+ o+ o o o o o x x x o o o- o- o- o- o-
plating-bench ^ wet station o x o o o o o+ o o o o o o o o x o+ o o- o- o- o- o-
LAM490B poly/nitride dry etcher x x x o o x x o x o o $ o o o x o o o- o- o- o- o-
LAM590-ICL oxide dry etcher o x x o o x x o o o o $ o o o x o o o- o- o- o- o-
oxEtch-BOE oxide etch wet station x x x o o x x x x x o o o o o x o o o- o- o- o- o-
Oxford-100 PECVD-RIE o x o o o o x o x o o $ o o o x o o o- o- o- o- o-
nitrEtch-HotPhos nitride etch wet station x x x $ o x x x x x o o o o o x o o o- o- o- o- o-
premetal-Piranha pre-metal clean wet station x x x o o x x x x x o o o o- o- x o- o- o- o- o- o+ o-
rainbow metal dry etcher o x x o o x x o+ o o o o o o o x o o o- o- o- o- o-
rcaICL RCA clean wet station x x x $ o x x x x x x $ x x x x o o o- o+ o- o- o-
RTA2 rapid thermal annealer o x x o# o x x o o o o $ o x x x o o o o- o- o- o-
RTA-pieces rapid therm anneal- _3", pieces o o o o o o o~ o~ o o o o o x x x o o o- o- o- o- o-
RTP rapid thermal anneal, ox'n o x x o# o x x x x x x $ x x x x x x x ! x x x
RTP-Si rapid thermal anneal, ox'n x x x x x x x x x x x $ x x x x x x x ! x x x
i-stepper wafer stepper,6", i-line o x x o o x x o o o o o o o o x o o o o- o- o- o-
semZeiss lo-V, hi-resolution SEM o o~ o o o o~ o~ o o o o o+ o o o o o o o o- o- o- o-
TMAH-KOH ^ wet station o x x o o o o o x x o o o o o x o+ o o- o- o- o- o-
5A-GateOx atmosph. diffusion tube x x x x x x x x x x x $ x x x x x x x !! x x x
5B-Anneal atmosph. diffusion tube x x x o# o x x x x x x $ x x x x x x x ! x x x
5C-FieldOx atmosph. diffusion tube x x x o# o x x x x x x $ x x x x o o x ! x x x
5D-ThickOx atmosph. diffusion tube x x x o# o x x x x x x $ x x x x x x x ! x x x
6A-nPoly LPCVD tube o~ x x o# o x x x x x x $ x x x x x x x ! x x x
6B-Poly LPCVD tube x x x o# o x x x x x x $ x x x x o o x ! x x x
6C-LTO LPCVD tube o~ x x o o x x x x x $ $ x x x x o o x ! x x x
6D-Nitride LPCVD tube x x x x o x x x x x x $ x x x x o o x ! x x x
UV1280 spectroscopic ellipsometer o o o o o x x o o o o o o o o x o o o o- o- o- o-
VTR low-stress niride x x x x o x x x x x $ $ x x x x o o o o- o- o o-

TRL

CORAL Name description ALD * pyrex* III-V * Ge on surf Ge buried wf pieces* Au* CMOS metal-ever* CMOS metal on surf CMOS metal buried sts* sem Concept1* PR PI fully cured SU8* KOH^ CMP ^ box,>4hr ICL RCAcl'n TRL RCAcl'n pir cl'n virgin
post-bake post-bake oven, 120oC o o o o o o o o o o o o o o o x o o o- o- o- o- o-
pre-bake pre-bake oven, 95oC o o o o o o o o o o o o o o o x o o o- o- o- o- o-
A1-GateOx atmosph. diffusion tube x x x x x o x x x x x $ x x x x x x x o- !! x x
A2-WetOxBond atmosph. diffusion tube x x x o# o o x x x x o $ o x x x o o x o- ! o- o-
A3-SinterCMOS atmosph. diffusion tube o x x o o o x o+ o o x $ o x x x o o o o- o- o- o-
A4-III-Vanneal atmosph. diffusion tube o x o o o o x o x x o o o x x x o o o o- o- ! o-
acid-hood (Au = ok) wet station o o o o o o o o o o o o o o- o- o o o o- o- o- o- o-
acid-hood2 (no Au) wet station o x x o o o x o o o o o o o- o- x x x o- o- o- o+ o-
AJA-TRL sputterer o o o o o o o+ o+ o+ o o o o x o o o o o- o- o- o- o-
asher-TRL plasma PR stripper o o o o o o o o o o o o o o- o- o o o o- o- o- o- o-
asherMatrix-TRL plasma PR stripper o x x o o x o+ o o o o o o o- o- x o o o- o- o- o- o-
B1-Au atmosph. diffusion tube o o o o# o o o+ o+ o o o o o x x x o o o o- o- o- o-
B2-Ox-alloy-Poly LP diffusion tube; deps Poly-Si on Au wf o o x o# o o o o o o o $ o x x x o o o o- ! o- o-
B3-DryOx atmosph. diffusion tube o x x o# o o x x x x o $ o x x x o o x o- o- ! o-
B4-Poly LPCVD tube x o o o# o o o x x x o $ o x x x o o x o- ! o- o-
CCNT CVD dep of CNT o o o o o o o+ o+ o+ o o o o x x x o o o- o- o- o- o-
coater spinner for PI, PR o o~ o o o o~ o~ o o o o o o o o x o o o- o- o- o- o-
e-beamAu metal evaporator o o o o o o o+ o+ o+ o o o o o o o o o o- o- o- o- o-
e-beamFP metal evaporator o o o o o o o+ o+ o+ o o o o o o o o o o- o- o- o- o-
EV1 mask aligner o o~ o o o o~ o~ o o o o o o o o o o o o o- o- o- o-
EV501-620 wafer aligner/bonder o o~ o o o o~ o~ o o o o o o x x x o o o o- o- o- o-
Heidelberg direct-write laser o o o o o o o o o o o o o o o o o o o- o- o- o- o-
ksaligner-2 mask aligner o o~ o o o o~ o~ o o o o o o o o o o o o o- o- o- o-
photo-wet wet station o o o o o o o o o o o o o o- o- o o o o- o- o- o- o-
plasmaquest ECR RIE o o o o o o o+ o+ o o o o o o o o o o o o- o- o- o-
SAMCO ICP RIE o o o o o o o+ o+ o o o o o o o o o o o o- o- o- o-
LAM590-TRL oxide dry etcher o o o o o o o+ o+ o o o o o o o o o o o o- o- o- o-
PZTcoater PZT coater o x o o o x o o o o o o o x x o o o o o- o- o- o-
Resonetics laser ablation system o o o o o o o+ o o o o o o o o o o o o- o- o- o- o-
rcaTRL RCA clean wet station x x x o o o x x x x o $ o x x x o o o- o- o+ o- o-
rta35 rapid thermal annealer o x o o# o o o+ o+ o o o $ o x x x o o o o- o- o- o-
Solvent-noAu solvent wet station o o o o o o x o o o o o o o- o- x o o o- o- o- o- o-
sts-CVD pecvd o o o o o o o+ o+ o o o o o x o x o o o o- o- o- o-
sts1 Si deep trench etcher o o o o o o o+ o o o o+ o o o x x o o o- o- o- o- o-
sts2 Si deep trench etcher x x x x x o x o x o o+ o o o x x o o o- o- o- o- o-
sts3 Si deep trench etcher o o o o o o o+ o o o o+ o o o x x o o o- o- o- o- o-
varTemp variable-temp oven (PR,PI) o o o o o o o o o o o o o o o x o o o- o- o- o- o-
XeF2 XeF2 etcher o o o o o o o+ o o o o o o o o o o o o o- o- o- o-

EBL

CORAL Name description ALD * pyrex* III-V * Ge on surf Ge buried wf pieces* Au* CMOS metal-ever* CMOS metal on surf CMOS metal buried sts* sem Concept1* PR PI fully cured SU8* KOH^ CMP ^ box,>4hr ICL RCAcl'n TRL RCAcl'n pir cl'n virgin
Elionix 125 keV, hi-res e-beam writer o o~ o o o o~ o~ o o o o o+ o o x x o o o o- o- o- o-

Fabrication

MTL Annual Research Report 2012: View Online